Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ > TSM200N03DPQ33 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM200N03DPQ33 RGG

工場モデル TSM200N03DPQ33 RGG
メーカー Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明 MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
パッケージ 8-PDFN (3x3)
株式 128403 pcs
データシート TSM200N03D
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000
$0.69 $0.615 $0.48 $0.396 $0.313 $0.292
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのTaiwan Semiconductor Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。128403のTaiwan Semiconductor Corporation TSM200N03DPQ33 RGGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-PDFN (3x3)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 20mOhm @ 10A, 10V
電力 - 最大 20W
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 345pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 4nC @ 4.5V
FET特長 -
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A (Tc)
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 TSM200

おすすめ商品

TSM200N03DPQ33 RGG データテーブルPDF

データシート